Khảo sát cấu trúc dẫn xuất Brom của phân tử Bisphenol A bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ - Đạt, Vũ Văn; Long, Lê Kim; Trang, Nguyễn Hoàng (VNU Journal of Science: Natural Sciences and Technology, 2016)
Tóm tắt: Tiếp sau bài báo “Khảo sát cấu trúc dẫn xuất clo của phân tử Bisphenol A bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ” [1] chúng tôi tiếp tục trình bày kết quả nghiên cứu một số dẫn xuất chứa brom của Bisphenol A trong pha khí. Trong nghiên cứu này chúng tôi vẫn tiếp tục sử dụng Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) với các hàm M06 Hybridmeta - GGA sử dụng bộ hàm cơ sở DGAUSS DZVP và TZVP kèm theo là bộ hàm DGA1 và TZVPfit mật độ tương thích. Các tính toán tập trung tìm cách tối ưu hóa về cấu trúc các phân tử, các tần số dao động và các giá trị năng lượng obitan với độ chính xác phù hợp. Kết quả thu được đã chỉ ra rằng phương pháp M06 đã mô tả chính xác cấu hình phân tử của cả 4 dẫn xuất brom của bisphenol A. Phân bố mật độ điện tích tính được cho thấy rõ ràng sự thay đổi về mật độ điện tích của phân tử khi đưa nhóm thế brom vào phân tử so với chưa thay thế. Các kết quả thu được có thể sử dụng để bàn luận về cơ chế các phản ứng thay thế brom vào phân tử bisphenol A và giải thích các kết quả thu được từ các nghiên cứu thực nghiệm. Từ khóa: Bisphenol A , Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) , hàm M06 Hybridmeta – GGA.